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电动汽车充电桩电源模块系统趋势和超级结MOSF
更新时间:2020-01-29

  插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统,可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案,包括通过AEC车规认证的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至等,支持设计人员优化性能,加快开发周期。本文将主要介绍用于电动汽车直流充电桩的超级结MOSFET和具成本优势的IGBT方案。

  充电桩按充电能力分类,以处理不同的用例场景。一级充电桩是120 V、输出15 A或20 A 的交流充电桩,每充电1小时增加约4至6英里里程。二级充电功率有3.3 kW、6.6 kW、9.6 kW、19.2 kW四种功率级别,适用于输出电流分别达20 A、20 A、50 A、100 A的240 V交流电源插座。直流快速充电(DCFC)桩的输入电压为440 V或480 V,能在30分钟内充到80%左右,用于公共充电桩。根据中国“一车一桩”计划,电动汽车充电桩总数在2020年将达480万个,电动汽车充电工程的450万个总安装量中将至少有200万个是大功率直流充电桩,且2020年后其它国家也将增加电动汽车充电桩。安森美半导体主要提供DCFC方案。

  充电桩将由现在主流的60 kW、90 kW发展到将来的150 kW、240 kW,相应地充电桩电源模块将由现在的15 kW、20 kW、30 kW提高到将来的40 kW、50 kW、60 kW,以缩短充满电的时间。

  这可通过提高开关频率Fsw以减少无源器件,并降低损耗以减少散热器来实现。

  安森美半导体定位于将满载能效从现在的95%提高到超过96%,超越能效法规。

  这需要延长电解电容器使用寿命和确保在有尘、潮湿、热、寒区域等户外安装的高可靠性。

  转向零排放电动汽车等节能减排趋势推动对中高压MOSFET的需求增加。平面MOSFET的导通电阻Rds(on)和损耗较大。且根据击穿电压与面积成正比,要获得更高的击穿电压需要更大面积的掺杂。超级结MOSFET能够显著降低导通电阻Rds(on)和门极电荷Qg。超级结MOSFET由于电荷平衡,在相同的掺杂下,面积是2倍,因此击穿电压也是两倍,且击穿电压与导通电阻近似线性关系,从而显著降低导通损耗和开关损耗。由于超级结MOSFET在快速开关应用中的能效和功率密度高,常用于高端应用。

  例如,210 kW 电动汽车充电点由14个15 kW模块组成,每个15 kW的电池充电器模块都是由3相交流380 V输入,经过3相Vienna 功率因数校正(PFC)后,电压升高到800 V直流电压,再经过高压DC-DC输出250 V至750 V直流电压。

  其中,3相Vienna PFC可选用安森美半导体的第3代超级结MOSFET (SUPERFET III)的易驱动(EASY Drive)/ 快速(FAST)系列,多级LLC可选用SUPERFET III 快速恢复(FRFET)系列。EASY Drive系列可内部调节门极电阻Rg和寄生电容,有极低的EMI和电压尖峰,适用于硬/软开关。FAST系列有减小的门极电荷Qg和输出电容储存能量Eoss,低开关损耗,高能效,适用于硬开关拓扑。FRFET系列集成一个高度优化的快恢复二极管,具有超低Qrr和Trr,最小化开关损耗并提高系统级可靠性,适用于软/硬开关拓扑。

  在同等工作条件下,测得安森美半导体的SUPERFET III FRFET的门极电荷Qg、Trr、Irr、Qrr和Eoss比竞争对手都有不同程度的降低,降低幅度从8%到47%不等,并且有更低的导通电阻Rds(on)、关断损耗和同类最佳的二极管性能,因而提供更高的系统能效。

  普通MOSFET在LLC拓扑中容易出现输出短路故障,而安森美半导体的SUPERFET III FRFET通过优化门极电荷Qg等参数可避免输出短路故障,使器件正常工作。

  安森美半导体SUPERFET III FRFET的 F版本在关断时是慢开关,因而有低尖峰Vds和低dv/dt,优势是更好的EMI性能。HF版本在关断时为快速开关,故有更低的开关损耗和更低的Ross,可提供更高的系统能效。

  相比较超级结方案,IGBT可提供具成本优势的方案用于电动汽车充电桩。安森美半导体提供领先行业的场截止IGBT技术,其最新的第四代场截止(FS4) IGBT具备同类最低的导通损耗、开通损耗、关断损耗、体二极管损耗和更小的电压尖峰。推荐用于电动汽车充电桩的FS4 IGBT和整流器方案如下表所示。

  此外,安森美半导体也提供650 V和1200 V SiC二极管、1200 V SiC MOSFET,以及紧凑的IPM以实现更高能效、功率密度和可靠性。

  安森美半导体凭借在功率器件和封装技术的专业知识,为电动汽车充电应用提供高能效创新的半导体方案,包括同类最佳的超级结MOSFET、具成本优势的 IGBT 及二极管方案、基于SiC的方案和IPM,有助于实现更高性能、能效和更低损耗,是用于电动汽车充电桩 DC-DC、PFC等电源模块的极佳选择。

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  43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...

  3是一款可调输出非同步降压控制器,用于驱动外部P沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式过流保护,打嗝模式短路保护。其他功能包括可编程开关频率,低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 带内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压范围内的良好瞬态响应 0.8 V 2%参考电压 精确的电压调节 3.1 V至36 Vdc的宽输入电压范围,44 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO ) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 在启动期间降低浪涌电流并避免输出过冲 睡眠模式下的低静态电流 睡眠电流非常低 电力良好(PG) 简单数字电源监控 外部时钟同步高达600 kHz 允许频率同步和扩频操作 逐周期电流限制保护(CL) 防止过电流条件 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热缩(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 汽车信息娱乐 仪表 集群 汽车系统...

  46是一款3轨多相降压解决方案,针对Intel IMVP8兼容CPU进行了优化。它包含一个两相和两个单相导轨,支持Core,GT和SA,配置如下2ph-1ph-1ph,1ph-2ph-1ph和1ph-1ph-1ph。该部件专为Notebook和Ultrabook应用程序而设计。两相控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,以提供精确调节的功率。两个单相控制器可用于Core,GT或SA导轨。两者均利用安森美半导体的专利高性能RPM操作。 RPM控制可最大化瞬态响应,同时允许不连续频率缩放操作和连续模式全功率操作之间的平滑过渡。单相轨道具有超低偏移电流监视放大器,具有可编程偏移补偿,可实现超高精度电流监视.NCP81246提供三个内部MOSFET驱动器,具有单个外部PWM信号 特性 优势 3内部驱动程序 允许高度集成,减少整体解决方案PCB占用空间 高性能RPM控制系统 新1相架构减少了补偿元件PWM输出提供了布线灵活性 多相轨的双边沿调制 对瞬态加载的最快初始响应 动态VID前馈 自适应电压定位(AVP) 开关频率范围为300 kHz - 750 kHz 相间动态电流...

  6是一款非同步升压控制器,设计用于在启动 - 停止车辆运行电池电压下降期间提供最小输出电压。控制器驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括逐周期电流限制,保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式操作。当电源电压低于7.3 V时,NCV8876使能,当电源电压低于6.8 V时启动升压操作。 使用 NCV8876评估板SystemVision设计和模拟环境验证参数和功能性能,并通过实时虚拟测试更好地了解功能和行为。 特性 优势 自动启用低于7.3 V (工厂可编程) 紧凑型SOIC8封装的额外功能 -40 C至150 C操作 汽车级 2 V至45 V操作 通过曲柄转动和装载转储进行操作 低静态曲线睡眠模式(...

  4是一款高压PWM控制器,专为高性能同步降压DC-DC应用而设计。 NCV1034采用高达500 kHz的可编程开关频率驱动一对外部N-MOSFET,可灵活调整IC的工作,以满足系统级要求。外部同步功能允许简化系统级过滤器设计。对于低压应用,可以使用内部1.25 V基准电压精确调节输出电压。提供欠压锁定和打嗝电流限制等保护,以便在发生故障时提供所需的系统级安全性。 特性 优势 输入电压高达100V + 48V或+ 60V输入使用的宽输入电压 2输出驱动能力 能够使用更大尺寸的FET提高效率 1.25 V +/- 2.5%反温电压 整个温度范围内的系统级精度优异 外部频率同步 能够同步到外部频率或输出同步脉冲 可编程切换频率高达500 kHz 效率和尺寸优化 AEC-Q100合格 中压DC-DC系统 应用 终端产品 48 V非隔离式DC-DC转换器 汽车高压DC-DC转换器 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  1是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 在宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 精确的电压调节 宽输入电压范围3.2 V至40 Vdc,45 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 Decr缓解浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭电流 周期 - 循环电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关机(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启停系统 SEPIC(同相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...

  3是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 LED PWM调光能力 0.2 V 2%参考电压恒流负载 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 宽输入电压范围为3.2 V至45 V 精确的电流/电压调节 输入欠压锁定 适用于各种各样的应用程序 内部软启动 禁用启动在欠压条件下 睡眠模式下的低静态电流 降低浪涌电流 逐周期电流限制保护 电流非常低 打嗝模式过流保护 防止过电流情况 热关机 热保护IC 应用 终端产品 LED照明,背光,前照灯 启停系统 升压,SEPIC(非反相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...

  031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...

  1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...

  JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...

  代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...

  度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...

  31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...

  39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...

  1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...

  49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...

  41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...

  47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...

  0是一款单相解决方案,六盒彩开奖结果具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器

  内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...

  0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器

  1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...


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